ઉચ્ચ સ્થિરતા લેસરનું ઉચ્ચ આવર્તન મોડ્યુલેશન
ઝડપી આવર્તન મોડ્યુલેશન, >1MHz
ઉચ્ચ આવર્તન મોડ્યુલેશન, ડ્યુટી રેશિયો એડજસ્ટેબલ
TTL મોડ્યુલેશન, એનાલોગ મોડ્યુલેશન વૈકલ્પિક
ઉચ્ચ લુપ્તતા ગુણોત્તર, કોડિંગ માટે સરળ
કોમ્પેક્ટ ડિઝાઇન, વાપરવા માટે અનુકૂળ
કેન્દ્રીય તરંગલંબાઇ(nm) | 445±5 |
ઓપરેટિંગ મોડ | CW |
આઉટપુટ પાવર(mW) | >1,2,3,…,80 |
પાવર સ્થિરતા (rms, 4 કલાકથી વધુ) | <3%,<2%,<1% |
ટ્રાંસવર્સ મોડ | TEM00 ની નજીક |
કંપનવિસ્તારનો અવાજ(rms,20Hz~20MHz) | <1%(<0.5%, વૈકલ્પિક) |
M2 પરિબળ | <1.2 |
છિદ્ર પર બીમ વ્યાસ (1/e2,mm) | ~1.2 |
બીમ ડાયવર્જન્સ, ફુલલેંગલ(mrad) | <1.0 |
ધ્રુવીકરણ ગુણોત્તર | >50:1(>100:1,વૈકલ્પિક) |
આડું ±5 ડિગ્રી (ઊભી વૈકલ્પિક) | |
વોર્મ-અપટાઇમ (મિનિટ) | <5 |
બેઝ પ્લેટથી બીમની ઊંચાઈ(mm) | 19 |
ઓપરેટિંગ તાપમાન (℃) | 10~35 |
ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ | DC12V4A |
મોડ્યુલેશન | DMOD(TTL)1MHz સુધી |
AMOD(એનાલોગ)100kHz સુધી | |
DMOD+AMOD(TTL+એનાલોગ) | |
અપેક્ષિત જીવનકાળ (કલાકો) | 10000 |
વોરંટી | 1 વર્ષ |